一、藍寶石襯底拋光技術

　　初的半導體基片(襯底片)拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是及其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優(yōu)勢：

　　化學機械拋光技術

        單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，完美性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差;單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度 高，但表面光潔度差，損傷層深。 化學機械拋光可以獲得較為完美的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數量級，是目前能夠實現全局平面化的只有有用方法。依據機 械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光(CMP)機理、動力學操控過 程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：(1)拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底 片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。(2)拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動 力學過程。它是操控拋光速率的另一個重要過程。硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐 蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面 產生高損傷層。

　　藍寶石研磨液

　 　藍寶石研磨液(又稱為藍寶石拋光液)是用于在藍寶石襯底的研磨和減薄的研磨液。藍寶石研磨液由質量聚晶金剛石微粉、復合分散劑和分散介質組成。藍寶石研 磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過程中保持高切削效率的同時不易對工件產生劃傷。可以應用在藍寶石襯底的研磨和減薄、光學晶體、硬質玻璃和晶體、超 硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤、芯片等領域的研磨和拋光。

　　 藍寶石研磨液在藍寶石襯底方面的應用：1. 外延片生產前襯底的雙面研磨：多用藍寶石研磨液研磨一道或多道，根據終藍寶石襯底研磨要求用6um、3um、1um不等。2. LED芯片背面減薄：為解決藍寶石的散熱問題，需要將藍寶石襯底的厚度減薄，從450nm左右減至100nm左右。主要有兩步：先在橫向減薄機上，用 50-70um的砂輪研磨磨去300um左右的厚度;再用拋光機(秀和、NTS、WEC等)針對不同的研磨盤(錫/銅盤)，采用合適的藍寶石研磨液(水 /油性)對芯片背面拋光，從150nm減至100nm左右。

　　藍寶石拋光液

　　藍寶石拋光液是以高純度硅粉為原料，經特殊工藝生產的一種高純度低金屬離子型拋光產品。藍寶石拋光液主要用于藍寶石襯底的拋光。還可泛用用于多種材料納米級的高平坦化拋光，如：硅片、化合物晶體、精密光學器件、寶石等的拋光加工。

　　二、藍寶石襯底加工流程

　　長晶:利用長晶爐生長尺寸大且高質量的單晶藍寶石晶體定向:確保藍寶石晶體在掏棒機臺上的正確位置,便于掏棒加工

　　掏棒:以特定方式從藍寶石晶體中掏取出藍寶石晶棒(包括去頭尾、端面磨)

　　滾磨:用外圓磨床進行晶棒的外圓磨削,得到精確的外圓尺寸精度(滾圓、磨OF 面)品檢:確保晶棒品質以及以及掏取后的晶棒尺寸與方位是否合客戶規(guī)格

　　定向:在切片機上準確定點藍寶石晶棒的位置,以便于精細切片加工

　　切片:將藍寶石晶棒切成薄薄的晶片

　　研磨:去除切片時造成的晶片切割損傷層及改善晶片的平坦度

　　倒角:將晶片邊緣修整成圓弧狀,改善薄片邊緣的機械強度,避免應力集中造成缺 陷,45°倒角0.1-0.2mm。

　　拋光:改善晶片粗糙度,使其表面達到外延片磊晶級的精度 (先雙面拋光，再單面拋光。正面粗糙度<0.3um，背面粗糙度0.4um-1um)清洗:去除晶片表面的污染物(如:微塵顆粒,金屬,有機玷污物等) 品檢:以高精密檢測儀器檢驗晶片品質(平坦度,表面微塵顆粒等),以合乎客戶要求。

　    藍寶石襯底拋光機的工藝流程：

　　1第一步：下料----磨削外周----周邊倒角----斜面磨削

　　2.藍寶石襯底粘貼到盤上----磨削平面----手工清洗----斜面拋光

　　3.第三步，鏡面研磨----手工清洗----研磨平面----手工清洗

　　4.第四步，藍寶石襯底下盤----手工清洗----拋光----清洗----檢查表面質量。

　　實際使用中的各種晶片，都是由晶棒切割加工制成，在用內圓切片機或線切割機將半導體晶棒切割成晶片時，因切割條件總會有變化，切割片在厚度和平整度等方面 都存在偏差。如果切割條件不合適，還會造成較深的損傷層。晶片拋光過程中表面去除量很小，所以需要用研磨來有用改善晶片的彎曲度、平整度與平行度的偏差， 并降低損傷層厚度。